Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / DRDN010W-7
Herstellerteilenummer | DRDN010W-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRDN010W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRDN010W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN + Diode (Isolated) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 18V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN010W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRDN010W-7-FT |
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
Diodes Incorporated
MMST3904-7-F
Diodes Incorporated
MMST2222A-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
MMST3904Q-7-F
Diodes Incorporated
BC858AW-7-F
Diodes Incorporated
BC858BW-7-F
Diodes Incorporated
MMST4126-7-F
Diodes Incorporated
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel