Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRDNB16W-7
Herstellerteilenummer | DRDNB16W-7 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DRDNB16W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRDNB16W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased + Diode |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDNB16W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRDNB16W-7-FT |
DDTB133HU-7-F
Diodes Incorporated
DDTB143EU-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114YUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC123EUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124GUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC125TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC142TU-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143EUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144EUAQ-7-F
Diodes Incorporated
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel