Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRDNB26W-7
Herstellerteilenummer | DRDNB26W-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRDNB26W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRDNB26W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased + Diode |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 220 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDNB26W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRDNB26W-7-FT |
DDTC123EUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124GUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC125TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC142TU-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143EUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144EUAQ-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTD113EU-7-F
Diodes Incorporated
DDTD113ZU-7-F
Diodes Incorporated
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel