Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Magnetsensoren - Schalter (Halbleiter) / DRV5013AGEDBZRQ1
Herstellerteilenummer | DRV5013AGEDBZRQ1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRV5013AGEDBZRQ1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
DRV5013AGEDBZRQ1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Funktion | Latch |
Technologie | Hall Effect |
Polarisation | South Pole |
Erfassungsbereich | 9mT Trip, -9mT Release |
Testbedingung | -40°C ~ 150°C |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 38V |
Strom - Versorgung (max.) | 2.7mA (Typ) |
Strom - Ausgang (max.) | 30mA |
Ausgabetyp | Open Drain |
Eigenschaften | Temperature Compensated |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TA) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013AGEDBZRQ1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRV5013AGEDBZRQ1-FT |
AD323-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD324-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD421-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD422-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD423-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC4013XL-3HT144C
Xilinx Inc.
A54SX32-1TQ144I
Microsemi Corporation
EX64-TQG100
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40C2
Intel
EP3SL110F1152C4N
Intel
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29C7N
Intel