Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Magnetsensoren - Schalter (Halbleiter) / DRV5013BCQDBZR
Herstellerteilenummer | DRV5013BCQDBZR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRV5013BCQDBZR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRV5013BCQDBZR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Funktion | Latch |
Technologie | Hall Effect |
Polarisation | South Pole |
Erfassungsbereich | 18.5mT Trip, -18.5mT Release |
Testbedingung | -40°C ~ 125°C |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 38V |
Strom - Versorgung (max.) | 2.7mA (Typ) |
Strom - Ausgang (max.) | 30mA |
Ausgabetyp | Open Drain |
Eigenschaften | Temperature Compensated |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRV5013BCQDBZR-FT |
AD404-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD405-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD406-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD420-02E
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AD421-02E
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AD422-02E
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AD423-02E
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AD424-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD504-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD505-02E
NVE Corp/Sensor Products
EPF6016ATC144-1
Intel
XC2VP2-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXEA7K3F35C2
Intel
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation