Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Magnetsensoren - Schalter (Halbleiter) / DRV5013BCQDBZT
Herstellerteilenummer | DRV5013BCQDBZT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRV5013BCQDBZT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRV5013BCQDBZT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Funktion | Latch |
Technologie | Hall Effect |
Polarisation | South Pole |
Erfassungsbereich | 18mT Trip, -18mT Release |
Testbedingung | -40°C ~ 125°C |
Spannungsversorgung | 2.7V ~ 38V |
Strom - Versorgung (max.) | 2.7mA (Typ) |
Strom - Ausgang (max.) | 30mA |
Ausgabetyp | Open Drain |
Eigenschaften | Temperature Compensated |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRV5013BCQDBZT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRV5013BCQDBZT-FT |
AD120-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD121-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD122-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD123-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD124-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD204-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD205-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD206-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD220-02E
NVE Corp/Sensor Products
AD221-02E
NVE Corp/Sensor Products
XC6SLX16-L1FT256C
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE260H780C2N
Intel
5SGXMB6R3F43I3N
Intel
LCMXO640C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2SG
Intel
EP2AGX45DF29I3
Intel
EP3C40F780I7N
Intel