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Herstellerteilenummer | DS1220AB-200IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1220AB-200IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1220AB-200IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
Zugriffszeit | 200ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220AB-200IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1220AB-200IND+-FT |
24LC512T-I/ST14
Microchip Technology
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
Microchip Technology
24LC512T-E/ST14
Microchip Technology
24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel