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Herstellerteilenummer | DS1220Y-100IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1220Y-100IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1220Y-100IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-100IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1220Y-100IND+-FT |
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
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24LC512T-E/ST14
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24LC128T-I/ST14
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DS25LV02R+T&R
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DS2502R+T&R
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DS28E05R+T
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DS2502R+00B
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DS28E05R+U
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XA3S1600E-4FG400I
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XA3S250E-4VQG100I
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M2GL090T-FCSG325I
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EP4CE15F17A7N
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ICE40LM2K-CM36
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LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
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EP2AGZ300FF35I4N
Intel