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Herstellerteilenummer | DS1220Y-200+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1220Y-200+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1220Y-200+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
Zugriffszeit | 200ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 24-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-200+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1220Y-200+-FT |
24LC512T-E/ST14
Microchip Technology
24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+U
Maxim Integrated
DS28CN01U-W0D+1T-C
Maxim Integrated
DS2502S+
Maxim Integrated
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation