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Herstellerteilenummer | DS1230AB-200+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1230AB-200+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1230AB-200+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
Zugriffszeit | 200ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 28-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-200+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1230AB-200+-FT |
MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel