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Herstellerteilenummer | DS1230AB-70+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1230AB-70+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1230AB-70+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 28-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-70+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1230AB-70+-FT |
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel