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Herstellerteilenummer | DS1230Y-70IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1230Y-70IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1230Y-70IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 28-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230Y-70IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1230Y-70IND+-FT |
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel