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Herstellerteilenummer | DS1245AB-70IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1245AB-70IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1245AB-70IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 32-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1245AB-70IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1245AB-70IND+-FT |
IDT71V124SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V124SA20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MCM69C432TQ20
NXP USA Inc.
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.