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Herstellerteilenummer | DS1250AB-100IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1250AB-100IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1250AB-100IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.25V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 32-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250AB-100IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1250AB-100IND+-FT |
MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AVYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMYS35R
Everspin Technologies Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel