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Herstellerteilenummer | DS1250Y-100+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1250Y-100+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1250Y-100+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Supplier Device Package | 32-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1250Y-100+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1250Y-100+-FT |
MCM69C432TQ20
NXP USA Inc.
MR2A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AYS35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BYS35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACYS35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08AYS35
Everspin Technologies Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel