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Herstellerteilenummer | DS1258W-100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1258W-100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1258W-100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Supplier Device Package | 40-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258W-100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1258W-100-FT |
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+T&R
Maxim Integrated
DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
DS2505P+T&R
Maxim Integrated
DS28E15P+T
Maxim Integrated
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel