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Herstellerteilenummer | DS1258W-100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1258W-100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1258W-100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Supplier Device Package | 40-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258W-100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1258W-100-FT |
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
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DS28E07P+T
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DS2430AP+T&R
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DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
DS2505P+T&R
Maxim Integrated
DS28E15P+T
Maxim Integrated
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel