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Herstellerteilenummer | DS1258Y-100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1258Y-100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1258Y-100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 2Mb (128K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 100ns |
Zugriffszeit | 100ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Supplier Device Package | 40-EDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258Y-100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1258Y-100-FT |
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+T&R
Maxim Integrated
DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
DS2505P+T&R
Maxim Integrated
DS28E15P+T
Maxim Integrated
DS28E22P+T
Maxim Integrated
DS28E25P+T
Maxim Integrated
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel