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Herstellerteilenummer | DS1350YP-70IND+ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS1350YP-70IND+ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS1350YP-70IND+ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 34-PowerCap™ Module |
Supplier Device Package | 34-PowerCap Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1350YP-70IND+ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS1350YP-70IND+-FT |
MT29F32G08CBADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08MADWC:D TR
Micron Technology Inc.
AT49F008AT-12TC
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE-T
Microchip Technology
SST49LF008A-33-4C-EIE
Microchip Technology
AT45CS1282-TC
Microchip Technology
AT45CS1282-TI
Microchip Technology
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel