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Herstellerteilenummer | DS28E10P+T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DS28E10P+T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DS28E10P+T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EPROM |
Technologie | EPROM - OTP |
Speichergröße | 224b (28 x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | 1-Wire® |
Spannungsversorgung | 2.8V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10P+T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DS28E10P+T-FT |
AT45DQ321-MWHFHJ-T
Adesto Technologies
AT45DQ321-MWHFHK-T
Adesto Technologies
FM25V20A-PG
Cypress Semiconductor Corp
FT24C128A-ESG-T
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C32A-ETR-T
Fremont Micro Devices Ltd
FT24C64A-ESG-B
Fremont Micro Devices Ltd
GD25LE128DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE16CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE32DLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ32DQIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation