Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / DSA600A150NB
Herstellerteilenummer | DSA600A150NB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSA600A150NB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSA600A150NB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 150A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 150A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2mA @ 150V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSA600A150NB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSA600A150NB-FT |
CPT300100A
Microsemi Corporation
CPT300100D
Microsemi Corporation
CPT30040A
Microsemi Corporation
CPT30040D
Microsemi Corporation
CPT30045A
Microsemi Corporation
CPT30045D
Microsemi Corporation
CPT30050A
Microsemi Corporation
CPT30050D
Microsemi Corporation
CPT30060A
Microsemi Corporation
CPT30060D
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel