Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DSAI35-18A
Herstellerteilenummer | DSAI35-18A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSAI35-18A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSAI35-18A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 49A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 150A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4mA @ 1800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-203AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 180°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSAI35-18A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSAI35-18A-FT |
BYG22BHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel