Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DSAI75-12B
Herstellerteilenummer | DSAI75-12B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSAI75-12B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSAI75-12B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 110A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.17V @ 150A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 6mA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-203AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 180°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSAI75-12B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSAI75-12B-FT |
BYG22DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel