Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / DSC9G0200L
Herstellerteilenummer | DSC9G0200L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSC9G0200L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSC9G0200L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Frequenz - Übergang | 650MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.3dB @ 100MHz |
Gewinnen | 24dB |
Leistung max | 125mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 65 @ 1mA, 6V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 15mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSC9G0200L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSC9G0200L-FT |
NE68030-T1-R44-A
CEL
NE68030-T1-R45-A
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NE68130-A
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NE68130-T1
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NE68130-T1-A
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NE68530-A
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NE68530-T1
CEL
NE68530-T1-A
CEL
NE68830-A
CEL
NE68830-T1-A
CEL
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
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5SGSED8N2F45I2N
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5SGXEB6R3F43I4N
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Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
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