Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / DSI35-12A
Herstellerteilenummer | DSI35-12A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DSI35-12A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSI35-12A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Avalanche |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 49A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 150A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4mA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-203AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 180°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSI35-12A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSI35-12A-FT |
BYG23MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel