Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / DSS45160FDB-7
Herstellerteilenummer | DSS45160FDB-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSS45160FDB-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSS45160FDB-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN, PNP |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 405mW |
Frequenz - Übergang | 175MHz, 65MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS45160FDB-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSS45160FDB-7-FT |
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCU324C8G
Intel
EP3C55F780I7
Intel
EP1C6Q240I7N
Intel