Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / DSS5160FDB-7
Herstellerteilenummer | DSS5160FDB-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSS5160FDB-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSS5160FDB-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 550mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 405mW |
Frequenz - Übergang | 65MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS5160FDB-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSS5160FDB-7-FT |
ZXTD09N50DE6TC
Diodes Incorporated
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel