Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / DSS5160FDB-7
Herstellerteilenummer | DSS5160FDB-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DSS5160FDB-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DSS5160FDB-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 550mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 405mW |
Frequenz - Übergang | 65MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type B) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSS5160FDB-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DSS5160FDB-7-FT |
ZXTD09N50DE6TC
Diodes Incorporated
ZXTD6717E6TC
Diodes Incorporated
BCV62AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV62BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV63B,215
Nexperia USA Inc.
BCV63,215
Nexperia USA Inc.
BCV64B,215
Nexperia USA Inc.
BCV62BE6433HTMA1
Infineon Technologies
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.