Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA114EMT2L
Herstellerteilenummer | DTA114EMT2L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DTA114EMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA114EMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114EMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA114EMT2L-FT |
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1302,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU025-2FFVA1156I
Xilinx Inc.
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
LFXP2-17E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F40I1SG
Intel
5AGXFB3H4F35I3G
Intel
EP3SL70F780C3N
Intel
5SGXMA3H3F35I3N
Intel