Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA114EMT2L
Herstellerteilenummer | DTA114EMT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA114EMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA114EMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114EMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA114EMT2L-FT |
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
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RN2310,LF
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RN2314(TE85L,F)
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RN2317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1302,LF
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RN1303(TE85L,F)
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RN1309(TE85L,F)
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RN1310(TE85L,F)
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