Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA115EM3T5G
Herstellerteilenummer | DTA115EM3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA115EM3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA115EM3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 260mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115EM3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA115EM3T5G-FT |
UNR911EG0L
Panasonic Electronic Components
UNR911FG0L
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UNR911HG0L
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UNR911LG0L
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UNR911NG0L
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Panasonic Electronic Components
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
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Intel
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Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
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5SGSMD4H2F35C1N
Intel