Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA123YU3T106
Herstellerteilenummer | DTA123YU3T106 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA123YU3T106 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA123YU3T106 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | UMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123YU3T106 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA123YU3T106-FT |
DTD543ZETL
Rohm Semiconductor
DTA114EEBTL
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XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
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10M50DAF672C6G
Intel
XC5VLX110-1FF1760I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
LFX125EB-03FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel