Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTC113EET1G
Herstellerteilenummer | DTC113EET1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTC113EET1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTC113EET1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | SC-75 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC113EET1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTC113EET1G-FT |
MUN5136T1G
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MUN5111T1G
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EP20K60ETC144-3
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XC2S50-5PQG208I
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XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A1415A-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256A7N
Intel
5SGXEA5K2F40I2LN
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E1SG
Intel