Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTC363EUT106
Herstellerteilenummer | DTC363EUT106 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DTC363EUT106 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTC363EUT106 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Widerstand - Basis (R1) | 6.8 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 6.8 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | UMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC363EUT106 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTC363EUT106-FT |
DTA124XU3T106
Rohm Semiconductor
DTA143TU3T106
Rohm Semiconductor
DTA143XUAT106
Rohm Semiconductor
DTA143ZUAT106
Rohm Semiconductor
DTC113ZU3T106
Rohm Semiconductor
DTC114WUAT106
Rohm Semiconductor
DTC115GU3T106
Rohm Semiconductor
DTC123EUAT106
Rohm Semiconductor
DTC123JU3T106
Rohm Semiconductor
DTC123YU3T106
Rohm Semiconductor
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C7N
Intel
5SGXEA4K1F40C1N
Intel
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2LG
Intel
EP2AGX45DF29I3N
Intel