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Herstellerteilenummer | DUR1040CT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DUR1040CT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DUR |
DUR1040CT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 45ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 30µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DUR1040CT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DUR1040CT-FT |
CPT50145
Microsemi Corporation
CPT50060
Microsemi Corporation
CPT500100
Microsemi Corporation
CPT40145
Microsemi Corporation
CPT40090
Microsemi Corporation
CPT400100D
Microsemi Corporation
CPT400100A
Microsemi Corporation
CPT400100
Microsemi Corporation
CPT30090
Microsemi Corporation
CPT30060
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel