Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / DXT5551P5-13
Herstellerteilenummer | DXT5551P5-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DXT5551P5-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DXT5551P5-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 160V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Leistung max | 2.25W |
Frequenz - Übergang | 130MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerDI™ 5 |
Supplier Device Package | PowerDI™ 5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT5551P5-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DXT5551P5-13-FT |
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-7
Diodes Incorporated
MMST2907AQ-7
Diodes Incorporated
MMST3906-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA05-7-F
Diodes Incorporated
BC846BW-7-F
Diodes Incorporated
2DB1694-7
Diodes Incorporated
MMSTA42-7-F
Diodes Incorporated
BC807-40W-7
Diodes Incorporated
BC848BW-7-F
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel