Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / DZ3600S17K3B2NOSA1
Herstellerteilenummer | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DZ3600S17K3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DZ3600S17K3B2NOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1700V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 3600A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3050A @ 900V |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | A-IHM190-1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ3600S17K3B2NOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DZ3600S17K3B2NOSA1-FT |
CPT40145D
Microsemi Corporation
CPT500100A
Microsemi Corporation
CPT500100D
Microsemi Corporation
CPT50060A
Microsemi Corporation
CPT50060D
Microsemi Corporation
CPT50145A
Microsemi Corporation
CPT50145D
Microsemi Corporation
CPT50235
Microsemi Corporation
CPT50235A
Microsemi Corporation
CPT50235D
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel