Zuhause / Produkte / Sensoren, Transducer / Optische Sensoren - photoelektrisch, industriell / E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M
Herstellerteilenummer | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | E3Z |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Erfassungsmethode | Through-Beam |
Erfassungsabstand | 15m |
Spannungsversorgung | 12V ~ 24V |
Reaktionszeit | 1ms |
Ausgangskonfiguration | PNP Transistor |
Verbindungsmethode | Cable |
Schutz vor Eindringen | IEC IP67, IP69K |
Kabellänge | - |
Lichtquelle | Infrared (870nm) |
Anpassungsart | Single-Turn |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 55°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | E3Z-T81-M1TJ-1-US 0.3M-FT |
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M2GL025T-VF400
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29I3
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EP20K60EQC240-3
Intel