Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / E4D20120A
Herstellerteilenummer | E4D20120A |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-E4D20120A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, E |
E4D20120A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 54.5A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 1500pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
E4D20120A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | E4D20120A-FT |
1N4006L-T
Diodes Incorporated
1N4007-B
Diodes Incorporated
1N4007GL-T
Diodes Incorporated
1N4007L-T
Diodes Incorporated
1N4933GL-T
Diodes Incorporated
1N4933L-T
Diodes Incorporated
1N4934L-T
Diodes Incorporated
1N4935GL-T
Diodes Incorporated
1N4935L-T
Diodes Incorporated
1N4936GL-T
Diodes Incorporated
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.