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Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Name: EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Availability: InStock
Rating: 4.7 (397 reviews)

MFG-Teilenummer: EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

verfügbare Anzahl: 84590 Stücke

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR.pdf

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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Spezifikationen

Herstellerteilenummer	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Zukünftige Teilenummer	FT-EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße	1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz	533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	134-VFBGA
Supplier Device Package	134-VFBGA (10x11.5)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR-FT

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