Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
Herstellerteilenummer | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 2Gb (64M x 32) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-VFBGA |
Supplier Device Package | 134-VFBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q256FVBIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ TR
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W25Q32BVTBJG
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W25Q32BVTBJG TR
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W25Q32BVTBJP TR
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W25Q32FVTBIG
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W25Q32FVTBIG TR
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W25Q32FVTBJQ
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M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
Intel