Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Herstellerteilenummer | EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (64M x 64) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 216-WFBGA |
Supplier Device Package | 216-WFBGA (12x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB4064B4PB-1D-F-R TR-FT |
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel