Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Herstellerteilenummer | EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB4064B4PB-1D-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (64M x 64) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 216-WFBGA |
Supplier Device Package | 216-WFBGA (12x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB4064B4PB-1D-F-R TR-FT |
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel