Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Herstellerteilenummer | EDB4064B4PB-1DIT-F-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (64M x 64) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 216-WFBGA |
Supplier Device Package | 216-WFBGA (12x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB4064B4PB-1DIT-F-R-FT |
MT41K512M8RH-125 XIT:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel