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EDB4416BBBH-1DIT-F-R Image

Micron Technology Inc. EDB4416BBBH-1DIT-F-R

MFG-Teilenummer
EDB4416BBBH-1DIT-F-R
verfügbare Anzahl
98400 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
EDB4416BBBH-1DIT-F-R.pdf
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R Spezifikationen

Herstellerteilenummer EDB4416BBBH-1DIT-F-R
Zukünftige Teilenummer FT-EDB4416BBBH-1DIT-F-R
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 4Gb (256M x 16)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / fall -
Supplier Device Package -
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer EDB4416BBBH-1DIT-F-R-FT

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