Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Herstellerteilenummer | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-WFBGA |
Supplier Device Package | 134-FBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR-FT |
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel