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Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Name: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (601 reviews)

MFG-Teilenummer: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

verfügbare Anzahl: 17850 Stücke

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Hersteller: Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung: - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Erinnerung

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR.pdf

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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Spezifikationen

Herstellerteilenummer	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Zukünftige Teilenummer	FT-EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	DRAM
Technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße	4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz	533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	-
Zugriffszeit	-
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart	-
Paket / fall	-
Supplier Device Package	-
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR-FT

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