Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
Herstellerteilenummer | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 134-VFBGA |
Supplier Device Package | 134-VFBGA (10x11.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q128FVBIG
Winbond Electronics
W25Q128FVBIP
Winbond Electronics
W25Q128FVBJQ
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W25Q256FVBIP TR
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Winbond Electronics
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
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LFE2-35SE-5FN672C
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5AGXMA3D4F31I3G
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