Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB8164B4PR-1D-F-D
Herstellerteilenummer | EDB8164B4PR-1D-F-D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDB8164B4PR-1D-F-D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDB8164B4PR-1D-F-D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 8Gb (128M x 64) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 216-WFBGA |
Supplier Device Package | 216-FBGA (12x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB8164B4PR-1D-F-D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDB8164B4PR-1D-F-D-FT |
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-053 WT:C
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MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
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MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:C
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MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT:C
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MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.