Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / EDB8164B4PR-1D-F-D

| Herstellerteilenummer | EDB8164B4PR-1D-F-D |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-EDB8164B4PR-1D-F-D |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| EDB8164B4PR-1D-F-D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 8Gb (128M x 64) |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 216-WFBGA |
| Supplier Device Package | 216-FBGA (12x12) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EDB8164B4PR-1D-F-D Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | EDB8164B4PR-1D-F-D-FT |

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NH-062 WT:C
Micron Technology Inc.

MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation

XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.

AX125-FG256I
Microsemi Corporation

5CGXFC7D6F27I7N
Intel

5SGSMD6K1F40I2N
Intel

5SGXEA4K3F35I3N
Intel

XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.

A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation

ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX360FF35C2XN
Intel