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Herstellerteilenummer | EDF8164A3MA-JD-F-R TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDF8164A3MA-JD-F-R TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Speichergröße | 8Gb (128M x 64) |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3MA-JD-F-R TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDF8164A3MA-JD-F-R TR-FT |
DS2227-070
Maxim Integrated
DS2227-100
Maxim Integrated
DS2227-120
Maxim Integrated
DS2229-85
Maxim Integrated
DS2423D/T&R
Maxim Integrated
DS2430AD/T&R
Maxim Integrated
DS2430AX-S/T&R
Maxim Integrated
DS2431GB+U
Maxim Integrated
DS2431P+W
Maxim Integrated
DS2432X-S+TW
Maxim Integrated
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel