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Herstellerteilenummer | EDFP112A3PB-GDTJ-F-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EDFP112A3PB-GDTJ-F-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Speichergröße | 24Gb (192M x 128) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EDFP112A3PB-GDTJ-F-R-FT |
EDF8132A3PB-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8132A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel