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Herstellerteilenummer | EEV-HB0G470R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EEV-HB0G470R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HB |
EEV-HB0G470R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Kapazität | 47µF |
Toleranz | ±20% |
Spannung - bewertet | 4V |
ESR (Äquivalenter Serienwiderstand) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Anwendungen | Automotive |
Welligkeitsstrom bei niedriger Frequenz | 34mA @ 120Hz |
Welligkeitsstrom bei hoher Frequenz | - |
Impedanz | - |
Bleiabstand | - |
Größe / Abmessung | 0.157" Dia (4.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.228" (5.80mm) |
Landgröße für Oberflächenmontage | 0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Radial, Can - SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EEV-HB0G470R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EEV-HB0G470R-FT |
EEE-HD1V221AP
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EEE-HD2A3R3P
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EEE-HD1C221AP
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A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP4CE40F23C9LN
Intel
5SGXMA4K3F35C2N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C4
Intel