Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL357N(TB)-G
Herstellerteilenummer | EL357N(TB)-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL357N(TB)-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL357N(TB)-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 3750Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 50% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3µs, 4µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 50mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 4-SOP (2.54mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL357N(TB)-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL357N(TB)-G-FT |
EL1010(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL1010(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL1010(TB)-V
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EL1010-G
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EL1010-VG
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EL1012(TA)-G
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EL1012(TA)-VG
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EL1012(TB)
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EL1012-G
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XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
5SGSMD5K3F40I4N
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5SGXMABK3H40I3N
Intel
5SGXEA7H3F35C3N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FGG144
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EP1K100QC208-3
Intel