Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL816M(Y)(D)-VG
Herstellerteilenummer | EL816M(Y)(D)-VG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL816M(Y)(D)-VG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL816M(Y)(D)-VG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 300% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 4µs, 3µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 4-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816M(Y)(D)-VG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL816M(Y)(D)-VG-FT |
EL357ND-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NE-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NF(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZUCG81
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C1N
Intel
10M40DCF672C8G
Intel
EP4SGX530KF43I3
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
LFXP3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2SGE2
Intel